casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHB22N60ET5-GE3
codice articolo del costruttore | SIHB22N60ET5-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHB22N60ET5-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHB22N60ET5-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB22N60ET5-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHB22N60ET5-GE3-FT |
IRFBC20STRR
Vishay Siliconix
IRFBC30AS
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRL
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRR
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRRPBF
Vishay Siliconix
IRFBC30S
Vishay Siliconix
IRFBC30STRL
Vishay Siliconix
IRFBC30STRR
Vishay Siliconix
IRFBC40AS
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRL
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel