casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI6968BEDQ-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI6968BEDQ-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI6968BEDQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6968BEDQ-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6968BEDQ-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI6968BEDQ-T1-E3-FT |
FDG6304P_D87Z
ON Semiconductor
FDG6313N
ON Semiconductor
FDG6314P
ON Semiconductor
FDG6318P
ON Semiconductor
FDG6320C_D87Z
ON Semiconductor
FDG6322C_D87Z
ON Semiconductor
PMGD130UN,115
NXP USA Inc.
PMGD175XN,115
NXP USA Inc.
PMGD400UN,115
NXP USA Inc.
PMGD8000LN,115
NXP USA Inc.
A42MX36-3BGG272
Microsemi Corporation
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F23C8L
Intel
XC4010XL-1PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC208-2X
Intel