casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDG6313N
codice articolo del costruttore | FDG6313N |
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Numero di parte futuro | FT-FDG6313N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDG6313N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Potenza - Max | 300mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88 (SC-70-6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6313N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDG6313N-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
A10V10B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3C25F256C6
Intel
5SGXMA3E1H29C2N
Intel
5SGXEA5N3F45C3N
Intel
EP4SGX290KF43C3
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation