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NXP USA Inc. PMGD8000LN,115

Name: PMGD8000LN,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMGD8000LN,115
Availability: InStock
Rating: 4.6 (482 reviews)

Numero parte MFG: PMGD8000LN,115

quantità disponibile: 69290 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMGD8000LN,115.pdf

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PMGD8000LN,115 specificazioni

codice articolo del costruttore	PMGD8000LN,115
Numero di parte futuro	FT-PMGD8000LN,115
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PMGD8000LN,115 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	125mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	18.5pF @ 5V
Potenza - Max	200mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSSOP
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMGD8000LN,115 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMGD8000LN,115-FT

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