casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI6443DQ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI6443DQ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI6443DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6443DQ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 8.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.05W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6443DQ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI6443DQ-T1-GE3-FT |
SPB80N03S2L05T
Infineon Technologies
SPB80N03S2L06T
Infineon Technologies
SPB80N04S2-04
Infineon Technologies
SPB80N04S2-H4
Infineon Technologies
SPB80N04S2L-03
Infineon Technologies
SPB80N06S08ATMA1
Infineon Technologies
SPB80N06S2-05
Infineon Technologies
SPB80N06S2-07
Infineon Technologies
SPB80N06S2-08
Infineon Technologies
SPB80N06S2-09
Infineon Technologies
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
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EP4CE10F17C8L
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EP2AGX95DF25C6
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XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation