casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB80N06S08ATMA1
codice articolo del costruttore | SPB80N06S08ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPB80N06S08ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPB80N06S08ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3660pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB80N06S08ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB80N06S08ATMA1-FT |
NTB13N10T4G
ON Semiconductor
NTB18N06
ON Semiconductor
NTB18N06G
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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NTB4302
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EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
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5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
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AGL600V5-FGG144
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EPF10K30RC240-4N
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