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Infineon Technologies SPB80N03S2L05T

Name: SPB80N03S2L05T
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80N03S2L05T
Availability: InStock
Rating: 4.5 (241 reviews)

Numero parte MFG: SPB80N03S2L05T

quantità disponibile: 84970 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SPB80N03S2L05T.pdf

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SPB80N03S2L05T specificazioni

codice articolo del costruttore	SPB80N03S2L05T
Numero di parte futuro	FT-SPB80N03S2L05T
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
SPB80N03S2L05T Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89.7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3320pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB80N03S2L05T Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SPB80N03S2L05T-FT

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