casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB80N03S2L05T
codice articolo del costruttore | SPB80N03S2L05T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SPB80N03S2L05T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPB80N03S2L05T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3320pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB80N03S2L05T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB80N03S2L05T-FT |
NTB125N02RG
ON Semiconductor
NTB125N02RT4
ON Semiconductor
NTB125N02RT4G
ON Semiconductor
NTB13N10
ON Semiconductor
NTB13N10G
ON Semiconductor
NTB13N10T4G
ON Semiconductor
NTB18N06
ON Semiconductor
NTB18N06G
ON Semiconductor
NTB18N06L
ON Semiconductor
NTB18N06LG
ON Semiconductor
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel