casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI6413DQ-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI6413DQ-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI6413DQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6413DQ-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 400µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.05W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6413DQ-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI6413DQ-T1-E3-FT |
SPB80N03S2L-04
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-04 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-05
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-05 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L05T
Infineon Technologies
SPB80N03S2L06T
Infineon Technologies
SPB80N04S2-04
Infineon Technologies
SPB80N04S2-H4
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel