casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB80N03S2L-05 G
codice articolo del costruttore | SPB80N03S2L-05 G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SPB80N03S2L-05 G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPB80N03S2L-05 G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3320pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB80N03S2L-05 G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB80N03S2L-05 G-FT |
NP88N055KUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP88N075KUE-E1-AY
Renesas Electronics America
NTB125N02R
ON Semiconductor
NTB125N02RG
ON Semiconductor
NTB125N02RT4
ON Semiconductor
NTB125N02RT4G
ON Semiconductor
NTB13N10
ON Semiconductor
NTB13N10G
ON Semiconductor
NTB13N10T4G
ON Semiconductor
NTB18N06
ON Semiconductor
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel