casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5475BDC-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI5475BDC-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5475BDC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5475BDC-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5475BDC-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5475BDC-T1-E3-FT |
SI1054X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1056X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1056X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1058X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1058X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1069X-T1-E3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel