casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA436DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA436DJ-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIA436DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA436DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1508pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA436DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA436DJ-T1-GE3-FT |
SI4880DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4880DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4884BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4886DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4886DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4890BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4892DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4892DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel