casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA469DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA469DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA469DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen III |
SIA469DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 15.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA469DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA469DJ-T1-GE3-FT |
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4890BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4892DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4892DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4896DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4896DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9410BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9410BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9424BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel