casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5446DU-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5446DU-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5446DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5446DU-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5446DU-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5446DU-T1-GE3-FT |
DMG3414UQ-13
Diodes Incorporated
DMG4N65CTI
Diodes Incorporated
DMN1004UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN10H220LQ-13
Diodes Incorporated
DMN2026UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2040UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2058U-13
Diodes Incorporated
DMN31D6UT-13
Diodes Incorporated
DMN31D6UT-7
Diodes Incorporated
DMN63D1LT-13
Diodes Incorporated
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel