casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMG4N65CTI
codice articolo del costruttore | DMG4N65CTI |
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Numero di parte futuro | FT-DMG4N65CTI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG4N65CTI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 8.35W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG4N65CTI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG4N65CTI-FT |
FCMT099N65S3
ON Semiconductor
FCMT125N65S3
ON Semiconductor
FCP11N60N-F102
ON Semiconductor
NTB110N65S3HF
ON Semiconductor
STFI16N65M2
STMicroelectronics
STFI18N65M2
STMicroelectronics
DMN6068LK3Q-13
Diodes Incorporated
SIR800ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
STP140N4F6
STMicroelectronics
IPI80N06S405AKSA2
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel