casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN31D6UT-7

| codice articolo del costruttore | DMN31D6UT-7 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DMN31D6UT-7 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DMN31D6UT-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13.6pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 320mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
| Pacchetto / caso | SOT-523 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN31D6UT-7 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DMN31D6UT-7-FT |

SIR800ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

STP140N4F6
STMicroelectronics

IPI80N06S405AKSA2
Infineon Technologies

NTMFS4C020NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C06NBT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C09NBT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C10NBT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C10NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C705NT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C404NT3G
ON Semiconductor

XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.

M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation

A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation

A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation

5SGXEA5K2F40I3L
Intel

5SGXMA9N2F45C2LN
Intel

XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.

XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.

XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.

XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.