casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN31D6UT-7
codice articolo del costruttore | DMN31D6UT-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN31D6UT-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN31D6UT-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13.6pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 320mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN31D6UT-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN31D6UT-7-FT |
SIR800ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
STP140N4F6
STMicroelectronics
IPI80N06S405AKSA2
Infineon Technologies
NTMFS4C020NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C06NBT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C09NBT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NBT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C705NT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C404NT3G
ON Semiconductor
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel