casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4943CDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4943CDY-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI4943CDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4943CDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1945pF @ 10V |
Potenza - Max | 3.1W |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4943CDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4943CDY-T1-GE3-FT |
SH8M11TB1
Rohm Semiconductor
SH8M12TB1
Rohm Semiconductor
SH8M13GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M14TB1
Rohm Semiconductor
SH8M24TB1
Rohm Semiconductor
SH8M2TB1
Rohm Semiconductor
SH8M41GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M4TB1
Rohm Semiconductor
SH8M70TB1
Rohm Semiconductor
SI4202DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A40MX04-VQG80
Microsemi Corporation
LFXP3C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S700A-4FT256C
Xilinx Inc.
XCV150-6FG456C
Xilinx Inc.
EP3C5U256C6
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC4028XL-1BG256I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
EPF10K100ARC240-3
Intel
EP1K50QI208-2N
Intel