casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4941EDY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4941EDY-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI4941EDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4941EDY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 3.6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4941EDY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4941EDY-T1-E3-FT |
SH8K41GZETB
Rohm Semiconductor
SH8K4TB1
Rohm Semiconductor
SH8K5TB1
Rohm Semiconductor
SH8KA2GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M11TB1
Rohm Semiconductor
SH8M12TB1
Rohm Semiconductor
SH8M13GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M14TB1
Rohm Semiconductor
SH8M24TB1
Rohm Semiconductor
SH8M2TB1
Rohm Semiconductor
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation