casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4940DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4940DY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4940DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4940DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4940DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4940DY-T1-E3-FT |
SH8K15TB1
Rohm Semiconductor
SH8K22TB1
Rohm Semiconductor
SH8K41GZETB
Rohm Semiconductor
SH8K4TB1
Rohm Semiconductor
SH8K5TB1
Rohm Semiconductor
SH8KA2GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M11TB1
Rohm Semiconductor
SH8M12TB1
Rohm Semiconductor
SH8M13GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M14TB1
Rohm Semiconductor
ICE5LP2K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005A-2AC
Microchip Technology
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10CX220YF780E5G
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
XC2VP20-7FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3C55F780C7N
Intel