casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4940DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4940DY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4940DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4940DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4940DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4940DY-T1-E3-FT |
SH8K15TB1
Rohm Semiconductor
SH8K22TB1
Rohm Semiconductor
SH8K41GZETB
Rohm Semiconductor
SH8K4TB1
Rohm Semiconductor
SH8K5TB1
Rohm Semiconductor
SH8KA2GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M11TB1
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SH8M12TB1
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Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
A1020B-1PQ100I
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