casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4406DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4406DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4406DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4406DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4406DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4406DY-T1-GE3-FT |
RSH065N06TB1
Rohm Semiconductor
RSH070N05GZETB
Rohm Semiconductor
RSH070N05TB1
Rohm Semiconductor
RSH070P05TB1
Rohm Semiconductor
RSH090N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH100N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH110N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH125N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH140N03TB1
Rohm Semiconductor
RSS040P03FU6TB
Rohm Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
Intel