casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4403DDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4403DDY-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI4403DDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen III |
SI4403DDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4403DDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4403DDY-T1-GE3-FT |
RRS100N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS110N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS125N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS130N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH065N06TB1
Rohm Semiconductor
RSH070N05GZETB
Rohm Semiconductor
RSH070N05TB1
Rohm Semiconductor
RSH070P05TB1
Rohm Semiconductor
RSH090N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH100N03TB1
Rohm Semiconductor
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel