casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4384DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4384DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4384DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4384DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.47W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4384DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4384DY-T1-GE3-FT |
IXT-1-1N100S1
IXYS
IXT-1-1N100S1-TR
IXYS
RRH040P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH050P03GZETB
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RRH050P03TB1
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RRH075P03TB1
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RRH100P03TB1
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RRH140P03GZETB
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RRH140P03TB1
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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LCMXO2-4000HC-4FG484I
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EP4SGX70HF35I3N
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