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codice articolo del costruttore | SI4362BDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4362BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4362BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 19.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4362BDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4362BDY-T1-GE3-FT |
SI4862DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
IRF7822TRL
Vishay Siliconix
IRF7822TRR
Vishay Siliconix
IXT-1-1N100S1
IXYS
IXT-1-1N100S1-TR
IXYS
RRH040P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH050P03GZETB
Rohm Semiconductor
RRH050P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH075P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH090P03TB1
Rohm Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel