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codice articolo del costruttore | SI4362BDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4362BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4362BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 19.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4362BDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4362BDY-T1-GE3-FT |
SI4862DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
IRF7822TRL
Vishay Siliconix
IRF7822TRR
Vishay Siliconix
IXT-1-1N100S1
IXYS
IXT-1-1N100S1-TR
IXYS
RRH040P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH050P03GZETB
Rohm Semiconductor
RRH050P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH075P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH090P03TB1
Rohm Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel