casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4490DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4490DY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4490DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4490DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.85A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4490DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4490DY-T1-E3-FT |
IRF7700TRPBF
Infineon Technologies
IRF7701
Infineon Technologies
IRF7701GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7701TR
Infineon Technologies
IRF7701TRPBF
Infineon Technologies
IRF7702
Infineon Technologies
IRF7702GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7702TR
Infineon Technologies
IRF7702TRPBF
Infineon Technologies
IRF7703
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
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A54SX16A-1FG256
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MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
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EP3SL200H780I4L
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LFEC6E-3Q208I
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LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel