casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4465ADY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4465ADY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4465ADY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4465ADY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 14A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4465ADY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4465ADY-T1-GE3-FT |
SI6435ADQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6435ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6443DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6443DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6459BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6459BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6463BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6463BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6465DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6465DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel