casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI6459BDQ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI6459BDQ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI6459BDQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6459BDQ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6459BDQ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI6459BDQ-T1-GE3-FT |
SPB80N04S2-04
Infineon Technologies
SPB80N04S2-H4
Infineon Technologies
SPB80N04S2L-03
Infineon Technologies
SPB80N06S08ATMA1
Infineon Technologies
SPB80N06S2-05
Infineon Technologies
SPB80N06S2-07
Infineon Technologies
SPB80N06S2-08
Infineon Technologies
SPB80N06S2-09
Infineon Technologies
SPB80N06S2-H5
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-05
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel