casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4430BDY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4430BDY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4430BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4430BDY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4430BDY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4430BDY-T1-E3-FT |
RSS060P05FU6TB
Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
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LCMXO2-7000HE-6TG144I
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XC6SLX25-N3FGG484I
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M2GL090T-FG484
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M7A3P1000-PQ208
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5SGXEB5R3F43C3N
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XC4VFX40-10FF1152I
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A40MX04-1PLG84M
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A42MX16-2PL84I
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LFXP2-30E-7FN484C
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5CGXFC4C6U19I7N
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