casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSS065N06FU6TB
codice articolo del costruttore | RSS065N06FU6TB |
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Numero di parte futuro | FT-RSS065N06FU6TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSS065N06FU6TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
Vgs (massimo) | 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSS065N06FU6TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSS065N06FU6TB-FT |
SI4842BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4884BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
TPC8048-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
SI4632DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4401BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4401BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4408DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4413ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4413ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel