casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSS065N03FU6TB
codice articolo del costruttore | RSS065N03FU6TB |
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Numero di parte futuro | FT-RSS065N03FU6TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSS065N03FU6TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSS065N03FU6TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSS065N03FU6TB-FT |
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4823DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4842BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4884BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
TPC8048-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
SI4632DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4401BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4401BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4408DY-T1-E3
Vishay Siliconix
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel