casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4421DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4421DY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4421DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4421DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 850µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4421DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4421DY-T1-E3-FT |
IRF7705GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7705TR
Infineon Technologies
IRF7705TRPBF
Infineon Technologies
IRF7706
Infineon Technologies
IRF7706GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7706TR
Infineon Technologies
IRF7706TRPBF
Infineon Technologies
IRF7707
Infineon Technologies
IRF7707GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7707TR
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel