casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7707GTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7707GTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7707GTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7707GTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2361pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7707GTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7707GTRPBF-FT |
IRF7607TRPBF
Infineon Technologies
SI6415DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6423DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6413DQ-T1-GE3
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SI6469DQ-T1-GE3
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SI6415DQ-T1-GE3
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SI6423DQ-T1-GE3
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IRF7521D1
Infineon Technologies
IRF7521D1PBF
Infineon Technologies
IRF7521D1TR
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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