casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7705TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7705TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7705TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7705TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2774pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7705TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7705TRPBF-FT |
PSMN3R8-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN5R8-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN7R0-40LS,115
NXP USA Inc.
PSMN9R0-30LL,115
NXP USA Inc.
IRF7726TRPBF
Infineon Technologies
IRF7601TRPBF
Infineon Technologies
IRF7607TRPBF
Infineon Technologies
SI6415DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6423DQ-T1-E3
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SI6413DQ-T1-GE3
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