casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSS040P03FU6TB
codice articolo del costruttore | RSS040P03FU6TB |
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Numero di parte futuro | FT-RSS040P03FU6TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSS040P03FU6TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSS040P03FU6TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSS040P03FU6TB-FT |
SI4490DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4634DY-T1-GE3
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SI4686DY-T1-E3
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TPC8048-H(TE12L,Q)
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