casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RSH125N03TB1
codice articolo del costruttore | RSH125N03TB1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RSH125N03TB1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSH125N03TB1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSH125N03TB1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSH125N03TB1-FT |
SI4488DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4490DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4490DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4634DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4686DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4800BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4823DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4842BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4884BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel