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codice articolo del costruttore | SI2341DS-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2341DS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2341DS-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 710mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2341DS-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2341DS-T1-E3-FT |
BSS159N E6327
Infineon Technologies
BSS159N E6906
Infineon Technologies
BSS159NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS159NH6327XTSA2
Infineon Technologies
BSS159NH6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS159NL6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS169 E6327
Infineon Technologies
BSS169 E6906
Infineon Technologies
BSS169H6327XTSA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation