casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK7A90E,S4X
codice articolo del costruttore | TK7A90E,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK7A90E,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSVIII |
TK7A90E,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK7A90E,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK7A90E,S4X-FT |
IRFIB8N50K
Vishay Siliconix
IRFIB8N50KPBF
Vishay Siliconix
IRFIBC20G
Vishay Siliconix
IRFIBC30G
Vishay Siliconix
IRFIBC40GLC
Vishay Siliconix
IRFIBE20G
Vishay Siliconix
IRFIBE30G
Vishay Siliconix
IRFIBF20G
Vishay Siliconix
IRFIBF30G
Vishay Siliconix
IRFIBG20G
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel