casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK7A60W,S4VX
codice articolo del costruttore | TK7A60W,S4VX |
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Numero di parte futuro | FT-TK7A60W,S4VX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK7A60W,S4VX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK7A60W,S4VX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK7A60W,S4VX-FT |
IRFIB7N50A
Vishay Siliconix
IRFIB7N50LPBF
Vishay Siliconix
IRFIB8N50K
Vishay Siliconix
IRFIB8N50KPBF
Vishay Siliconix
IRFIBC20G
Vishay Siliconix
IRFIBC30G
Vishay Siliconix
IRFIBC40GLC
Vishay Siliconix
IRFIBE20G
Vishay Siliconix
IRFIBE30G
Vishay Siliconix
IRFIBF20G
Vishay Siliconix
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel