casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF508GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF508GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF508GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF508GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF508GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF508GHC0G-FT |
VS-MBRS360TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
TRS8E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS10E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel