casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF506GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF506GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF506GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF506GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF506GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF506GHC0G-FT |
VS-30BQ100GTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ100TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS340TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS360TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
TRS8E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS10E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel