casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SF63GHB0G
codice articolo del costruttore | SF63GHB0G |
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Numero di parte futuro | FT-SF63GHB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF63GHB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF63GHB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SF63GHB0G-FT |
HER304G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER304G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER305G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER305G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER306G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER306G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER307G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER307G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER308G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation