casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER306G A0G
codice articolo del costruttore | HER306G A0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER306G A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER306G A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER306G A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER306G A0G-FT |
SR504HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel