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Taiwan Semiconductor Corporation HER306G B0G

Name: HER306G B0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: HER306G B0G
Price: 0.1122 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (270 reviews)

Numero parte MFG: HER306G B0G

quantità disponibile: 15930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.1122

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HER306G B0G.pdf

HER306G B0G specificazioni

codice articolo del costruttore	HER306G B0G
Numero di parte futuro	FT-HER306G B0G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HER306G B0G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Corrente: media rettificata (Io)	3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7V @ 3A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F	35pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-201AD
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HER306G B0G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HER306G B0G-FT

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