casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER306G B0G
codice articolo del costruttore | HER306G B0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER306G B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER306G B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER306G B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER306G B0G-FT |
SR515 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR302G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel