casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SF45GHA0G
codice articolo del costruttore | SF45GHA0G |
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Numero di parte futuro | FT-SF45GHA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF45GHA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF45GHA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SF45GHA0G-FT |
1N5820HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5820HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5821 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5821 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5821HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5821HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5822 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5822HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5822HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
31DF4 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel