casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5821 B0G
codice articolo del costruttore | 1N5821 B0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5821 B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5821 B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5821 B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5821 B0G-FT |
SF68G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF68GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG54G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG54GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG56G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG56GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG58G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG58GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5820 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5822 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel