casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5822HA0G
codice articolo del costruttore | 1N5822HA0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5822HA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5822HA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 525mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5822HA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5822HA0G-FT |
UG56G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG56GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG58G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG58GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5820 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5822 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR304G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR307G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR4L20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK12H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel