casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SF16GHA0G
codice articolo del costruttore | SF16GHA0G |
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Numero di parte futuro | FT-SF16GHA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF16GHA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF16GHA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SF16GHA0G-FT |
1N4937GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5818 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5818 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5818 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel