casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5817HA0G
codice articolo del costruttore | 1N5817HA0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5817HA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5817HA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817HA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5817HA0G-FT |
1N5819 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR105G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4007 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR103G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR104G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER102G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel