casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5818 A0G
codice articolo del costruttore | 1N5818 A0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5818 A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5818 A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5818 A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5818 A0G-FT |
HER106G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR103G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR104G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER102G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR110 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4936G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4936GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel