casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SF15GHR1G
codice articolo del costruttore | SF15GHR1G |
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Numero di parte futuro | FT-SF15GHR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF15GHR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF15GHR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SF15GHR1G-FT |
1N4936GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel