casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4936GHR1G
codice articolo del costruttore | 1N4936GHR1G |
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Numero di parte futuro | FT-1N4936GHR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N4936GHR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4936GHR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4936GHR1G-FT |
SR810 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF5JFC C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR107G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5819 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR105G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel