casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SET100312
codice articolo del costruttore | SET100312 |
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Numero di parte futuro | FT-SET100312 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SET100312 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 45A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 54A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 6µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SET100312 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SET100312-FT |
SCNA1F
Semtech Corporation
SCNA4
Semtech Corporation
SCNA6
Semtech Corporation
SCNAR10
Semtech Corporation
SCNAS15FF
Semtech Corporation
SCNAS6
Semtech Corporation
SCPA05F
Semtech Corporation
SCPA05FF
Semtech Corporation
SCPA10FF
Semtech Corporation
SCPA15FF
Semtech Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel